掺杂与退火

MEMS 芯片制造中,掺杂和退火是核心的半导体工艺步骤,直接影响器件的电学性能、机械特性和可靠性,二者通常配套使用 —— 掺杂实现杂质离子的引入,退火完成杂质激活与晶格修复。

类别描述
外延与掺杂技术

 离子注入:BPFAlNArHHeSi

配套工艺

高温氧化

高温扩散/退火

快速退火


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