MEMS 芯片制造中,掺杂和退火是核心的半导体工艺步骤,直接影响器件的电学性能、机械特性和可靠性,二者通常配套使用 —— 掺杂实现杂质离子的引入,退火完成杂质激活与晶格修复。
● 离子注入:B,P,F,Al,N,Ar,H,He,Si
高温氧化
高温扩散/退火
快速退火
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